Die Maskenfertigung bei POG umfasst den gesamten lithografischen Prozess von der Layoutvorbereitung über die Resistprozessierung bis hin zur Belichtung mittels Elektronenstrahllithografie. Sowohl Maskensubstrate als auch Halbleiterscheiben oder Glaswafer können verarbeitet werden.
- Realisierung von Masken bzw. Direktbelichtung von Glassubstraten (maximale Dicke: 3mm) in den Abmessungen 4″ x 4″ / 5″ x 5″ / 6″ x 6″ / 7″ x 7″ – andere Formate auf Anfrage
- Belichtung von Glaswafern ø 2,5″ / ø 3″ / ø 4″ / ø 5″ / ø 6″
- kleinste Strukturabmessungen im Resist: 0,2µm
- kleinste entwickelte Strukturabmessungen : ca. 0,5µm
- Schnittstellen für das Layoutdesign: CIF, DXF, GDS2, MEBES
- Gerät: Vistec ZBA 23
